화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-Atomic Layer Deposition(ALD)
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
Advantage
① 낮은 성장률을 가지면서 높은 질의 epilayer을 생성
② 다양한 dopant 성분을 흡착이 가능하고, 복잡한 구조를
가진 다양한 layer를 생성
Disadvantage
① 고진공으로 인한 작동비용이 높음
② source material 교체로 인한 chamber 내부의 오염
③ As와 P이 포함되어 있는 alloy의 성장 제한
WHAT IS THIN FILM?
KIST Definition (1991)
- Thin Film : 기판층(substrate layer)에 형성된 수 m 이하의 두께를
갖는 것으로 독립적인 기능을 보유한 막.
ADVANTAGES OF THIN FILM
Complexibility and Accumulations
Easy processing
lm)
Easy Control of Thermal, Mechanical and Chemical Properties
Down the Cost of Production
High-Reliance
WHAT IS cvd?
Principle of cvd
layer, it causes entire curve of graph to shift to the [Figure 12] C-V graph shift by direction of bias
side. These charges are generated by ions came in the process of deposition of oxide layer. When the charges exist in between the substrate and interface, the value of Vfb and C-V curve will shift by amount of the charge divided by Cox of Ci. The amount of shifting decreases as the position of
석유, 석탄, 천연가스 등의 화석에너지 자원들은 고갈되고 있고, 시대가 지나면서 에너지 문제의 중요성은 더욱 증가되어 에너지 안보 문제가 심각하다. 우리나라는 2009년도 기준 에너지 해외 의존도가 약 96.2%로 세계 에너지 시장의 변화에 취약한 구조를 가지고 있다. 특히 중동 지역의 의존도가 2008년
Experimental Setup
Three electrode cell Working electrode : Composite electrode
active material + conducting material + binder
LiCoO2
carbon PVDF
Counter electrode & reference electrode : lithium foil
Electrolyte : Li salt IN non-aqueous solvent
Li salt : LiPF6, LiBF4, LiClO4…
Solvent : EC, PC, DMC, DME…
Lab. of Energy Conversion & STORAGE Materials
Fig.
Layers>
- SiO2의 부도체 성질로 부터 집적회로내 금속층
사이의 효과적인 절연체로 사용가능
- 오염물질의 확산을 최소화
자연 산화물 – 오염물질이 대부분. (기억저장 공간이나 막 안정화용 사용)
게이트 산화물 – 트랜지스터의 게이트와 소스/드레인의 유전체로 사용
자계
layer, SAM)은 주어진 기질의 표면에 자발적으로 입혀진 규칙적으로 잘 정렬된 유기 분자막이다. SAM의 제조에 이용되는 계면활성제 분자는 세 개의 부분으로 이루어져 있다. 먼저 기질과 결합하는 머리 부분의 반응기, 규칙적인 분자 막 형성을 가능하게 하는 몸통 부분의 긴 알칸 사슬, 그리고 분자 막의
→ ALD is based on the sequential use of a gas phase
chemical process. ALD film growth is self-limited and
based on surface reactions, which makes achieving
atomic scale deposition control possible.
☞ Self-limited growth
☞ Atomic scale deposition
☞ Easy way to produce
uniform, crystalline,
high quality thin films.
-결정성 평가
-FWHM (Full wi